中欧体育app中报]神工股份(688233)：锦州神工半导体股份有限公司2023

2023-09-01 03:19:38

　　中欧体育一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险。

　　五、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人（会计主管人员）盖雪声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

　　本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。

　　宁波梅山保税港区晶励投资管理合伙企业（有限合伙）已于 2023 年7月更名为“温州晶励企业管理合伙企业（有限合伙）”，系公 司股东

　　在氩气气氛下进行高温退火的工艺，能够有效地消除硅片近表面区 域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部形成 BMD （Bulk Micro Defect，硅氧化合物类的析出物）氧沉淀来提高硅 片的内吸杂能力,进而提高硅片质量

　　Semiconductor Equipment and Materials International，国际 半导体设备和材料协会

　　World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计协 会

　　Site Total Indicator Reading，局部平整度，硅片的每个局部区 域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值

　　Total Thickness Variation，总厚度偏差，指硅片的最大与最小 厚度之差值

　　硅（Si）的单晶体，也称硅单晶，是以高纯度多晶硅为原料，在单 晶硅生长炉中熔化后生长而成的，原子按一定规律排列的，具有基 本完整点阵结构的半导体材料

　　晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备，主要分成ICP与CCP两 大类。其原理是利用RF射频电源，由腔体内的硅上电极将混合后 的刻蚀气体进行电离，形成高密度的等离子体，从而对腔体内的晶 圆进行刻蚀，形成集成电路所需要的沟槽

　　切克劳斯基（Czochralski）方法，由波兰人切克劳斯基在1917年 建立的一种晶体生长方法。后经多次改进，现已成为制备单晶硅的

　　用于提供热传导及绝热的所有部件的总称，由加热及保温材料构 成，对炉内原料进行加热及保温的载体，是晶体生长设备的核心部 件

　　硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其形状为圆形，故 称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有 特定电性功能之集成电路产品

　　集成电路制造主要工艺之一的“干式（等离子）刻蚀”所用。等离 子刻蚀设备腔体内的核心零部件。从控制腔体内洁净度等方面考 虑，材料多采用与硅片同质的大直径硅材料，经精密加工后，成为 刻蚀机腔体中硅上电极，或与晶圆直接接触的硅片托环等硅零部件

　　2、归属于上市公司股东的净利润同比减少126.13%，主要系硅片业务处于市场开拓期，存货计提减值准备所致。

　　4、经营活动产生的现金流量净额同比减少58.88%，主要系营业收入减少，从而客户回款减少所致。

　　计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切 相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外

　　企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于 取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产 生的收益

　　除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有 交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生 金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和 其他债权投资取得的投资收益

　　对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

　　2023年上半年，芯片消费占比最大的智能手机、个人电脑等终端消费者市场需求受发达国家的通胀抑制出现比较大的下滑，消费电子厂商及集成电路设计厂商的库存仍在缓慢消化中。另一方面，汽车和工业领域集成电路供小于求的市场态势有所缓解，上游集成电路制造、设备及材料厂商受此影响，产能利用率下滑，资本开支计划有所减缓；于此同时，以ChatGPT为代表的生成式人工智能应用渗透率迅速提高，呈现加速发展态势，带动先进制程芯片的研发、生产和投资，有望成为下一轮半导体上行周期的先声。此外，经济大环境与半导体市场供求关系周期性变化的叠加，以及一些国家推出的半导体产业投资补贴政策和技术出口管制政策对供应链的扰动，造成了报告期内较为复杂多变的市场环境。

　　根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）2023年5月发布的数据，预计2023年全球半导体市场将同比下滑10.3%，2024年将迎来复苏，预计将同比增长11.8%。美国半导体协会（SIA）数据显示，2023年第二季度全球半导体销售额1245亿美元，同比下滑达17.3%。公司扎根于分工严密的国际半导体供应链中，所处硅材料细分行业在整个半导体产业链上游，经营业绩与上述数据所呈现的半导体行业景气度仍高度相关。

　　报告期内，公司采取措施克服半导体行业库存调整周期的不利影响，继续优化成本和产品结构，进一步完善产品技术指标并拓展销售网络，加强研发工作，力图在行业下行周期练好内功，主动抓住行业景气恢复后的新增市场需求。受半导体行业周期下行影响，报告期内实现营业收入7,883.48万元，相比去年同期减少70.02%；另一方面，公司硅零部件产品由于应对国产化需要，出现较大幅度的增长。半导体大尺寸硅片业务仍处于工艺优化和客户认证开拓期，研发费用等投入较多，尚未能够单独盈利。归属于上市公司股东的净利润-2,369.94万元，相比去年同期减少126.13%,主要系硅片业务处于市场开拓期，存货计提减值准备所致。

　　从产业链角度分析，公司的大直径硅材料产品，直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商，后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited,TEL），并最终销售给三星电子、英特尔和台积电等国际知名集成电路制造厂商。根据上述国际主流刻蚀机设备厂商和集成电路制造厂商披露的财务数据，目前下游库存调整仍在进行中，集成电路制造厂商产能利用率下滑，资本开支放缓减少刻蚀机设备订单量，相应造成上游材料采购数量和交期调整。另一方面，中国本土半导体供应链安全需求迫切，为公司带来了新的市场机会。报告期内，公司的硅零部件产品收入显著提升并已经大幅超过2022年全年水平。该产品主要面向中国市场销售，已经在中国本土供应链安全建设中发挥独特作用，伴随国产等离子刻蚀机设备厂商及集成电路制造厂商的崛起，公司将获得更大的成长空间和更强的成长动能。公司计划年内全面实现向国内头部存储类集成电路制造厂商的批量化、规模化供货，实现硅零部件产品收入稳步提升。

　　公司对标国际一流厂商某款销量较大的轻掺低缺陷硅片产品，已经进入国内主流集成电路制造厂认证阶段，争取年内获得认证通过并形成小批量订单。公司继续探索并积累12英寸半导体级低缺陷晶体的生长工艺，加紧推进此前受特殊原因影响而推迟的部分硅片客户的验厂工作，抓住下游客户多样化的产品需求和供应链安全需求，取得更多订单，继续提升品牌知名度和客户信任度，实现业绩稳步增长。

　　大直径单晶硅材料生产技术方面。报告期内，继续通过工艺改进和设备升级等多方面手段来增加既有生产设备的单炉次产量，有效地控制成本；发挥公司特有的晶体生长技术优势，确保产品品质上的稳定性、一致性，保持国际上的领先地位。在大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面取得了更多试验数据。

　　公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件。加工工艺方面实现了优良的表面完整性，采用精密磨削工艺替代成本较高的研磨工艺，强化了定制开发能力，进一步满足下游客户的需求。报告期内，公司在硅零部件加工过程中，研发取得“硅部件精密刻蚀洗净技术”，能够提高硅零部件的洗净程度，并进一步减少颗粒度并隔离金属离子，提高了公司生产工艺，满足客户对产品的更高需求。

　　报告期内，公司开发了“硅片表面颗粒清洗技术”，通过对清洗液的配比优化，减少硅片表面微腐蚀，并综合运用特种过滤技术、兆声清洗、表面氧化、静电去除等技术，确保硅片加工过程中的颗粒污染物得到有效清除，满足客户对产品洁净度的要求。

　　随着晶体直径的增加，生产用坩埚直径将增大，生产过 程中热场的不均匀性及硅熔液的对流情况也越明显，导 致部分硅原子排列呈现不规则性，进而形成更多的晶体 缺陷，造成良品率下降。公司通过有限元热场模拟分析 技术，根据产品技术要求开发相应的热场及匹配工艺， 无需借助强磁场系统抑制对流，实现了无磁场环境下大 直径单晶硅的制造，有效降低了单位成本。

　　固液共存界面指晶体生长时的固态晶体与液态硅液接触 的界面形状，是硅单晶体生长的核心区域。由于晶体生 长本质上属于原子层面的排列变化，因此固液共存界面 的微小变化均会对晶体生长质量产生重大影响。晶体生 长的不同阶段需要差异化的界面控制方法以保证形成合 适的固液共存界面状态，最终实现产品较高的良品率和 参数一致性水平。公司拥有的固液共存界面控制技术确 保晶体生长不同阶段均能保持合适的固液共存界面，大 幅提高了晶体制造效率和良品率。

　　对于大部分市场参与者，利用直拉法进行拉晶的过程 中，成品晶体直径与热场直径比通常不超过0.5。公司 通过多年持续的研发试验，逐步提升了热场设计能力并 实现了热场尺寸的优化。目前公司成品晶体直径与热场 直径比已提高到0.6-0.7的技术水平，已实现使用28 英寸石英坩埚完成19英寸晶体的量产，有效降低了生 产投入成本。

　　多晶硅投料优化工艺包括两大技术方向：一是多晶硅原 材料与回收料配比投入；二是单位炉次投料量单炉次投 料数量受坩埚大小、热场尺寸、产品型号等因素限制， 投料数量的增加依赖工艺的改进和优化。在保证高良品 率的前提下，公司实现了多晶硅原材料与回收料配比投 入并量产，同时实现了单位炉次投料量及良品产量不断 增长。

　　P型单晶硅棒电阻率控制是通过将硼系列合金掺入硅熔 液中实现。公司通过掺杂剂的标定方法、掺杂剂在硅溶 液中的扩散计算方法、目标电阻的设定方式实现了产品 电阻率的精准控制。

　　通过控制晶体颈部的直径及长度等参数，快速排除晶体 面缺陷和线缺陷，减少晶体位错，从而提高一次引晶的 成功率。

　　轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷，导致单晶 硅不能用于微小设计线宽的集成电路制造，减少或消除 晶体点缺陷是开发先进制程硅片的前提，公司已实现在

　　热系统是为晶体生长提供保障的关键部件，针对热场内 部的石墨部件损耗，开发出该方案。降低石墨部件随着 气流所损耗的程度。保证晶体结晶生长环境的稳定性。

　　基于理论和实践结果，生长状态保持稳定，有利于获得 更高品质的晶体。在晶体生长过程中，通过对热系统的 配置、工艺参数控制，保持均匀的原子排列速度，使晶 体的生长处于稳定状态。

　　由于掺杂剂的物理偏析特性，晶体的电阻率从头部到尾 部是连续变化的。控制不同区段的掺杂剂浓度，使得同 一批次晶体，呈现多种电阻率分布。

　　硅片抛光过程难免出现一些小划痕，从而降低良品率。 在抛光工序中，通过系统性的工艺改良，大大减少划痕 的出现概率，提高良品率。

　　对于去除硅片表面的重金属污染，传统方法是使用浓度 较高的酸混合液。通过改良清洗配方，降低酸的使用 量，达到同样的去除金属效果，并降低了制造成本。

　　通过对线切割过程中张力、砂浆配比、砂浆温度等参数 进行优化调整，有针对性地调整局部参数，系统性保障 线切割过程的稳定性，有效控制硅片的翘曲度。

　　硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔，为了 减少刻蚀过程中的微小颗粒物数量，必须对其内表面进 行抛光工艺处理，达到刺、表面洁净的效果。

　　不同厂商的等离子刻蚀机，有不同规格的螺纹孔。公司 通过对硅这种脆性材料的深入研究，开发出一系列的加 工工艺，可以制作各种规格的螺纹，并且能够保证螺纹 的完整性和强度。

　　对8英寸晶体内晶格间的应力进行有效释放，降低晶体 缺陷。晶格间的应力，影响晶体最终的缺陷形态，因 此，硅原子相变过程中，通过外部工艺施加影响，逐步 释放这部分能量，降低缺陷的产生。

　　在8英寸晶体的生长过程中，通过控制晶体中的氧浓 度，以及适当增加异种元素浓度等工艺来控制氧化合物 析出，以在合适水平控制热处理衍生缺陷的技术。

　　IC制造厂商根据使用方向的不同，对硅片的电阻率偏差 要求不同。而晶体生长过程中，由于偏析现象，晶体各 部位的电阻率不同，头尾电阻率比值较大。公司通过精 准控制各种长晶参数，可较为精确地控制晶体电阻率的 均匀性。

　　针对200mm抛光片雾化现象，公司综合硅片平坦度、表 面粗糙度控制等技术，结合特定的表面清洗工艺有效控

　　制硅片表面颗粒粘附、边缘崩塌等问题，控制抛光加工 中的一些关键技术，极大改善和提升硅片表面平坦度。

　　针对单晶硅、多晶硅材料的细微深孔加工：通过改一系 列精密工艺，保证了细微深孔圆度；研发出特制工具和 装置，并通过改变转速、单次啄钻深度、进给速度等参 数，提高了细微深孔深度加工能力及精度；同时采用更 细密的磨削砂轮，降低表面粗糙度，精确控制表面各点 磨削去除量，发明了改善端面铣削进退刀痕迹的加工方 法，达到了外观修整的目的。

　　多晶硅晶体生长过程中，溶液分子容易与杂质或坩埚壁 结合形成非均质形核。这种晶核生长出的晶花较为松 散，尺寸偏大，晶向无明显规律。利用定向凝固方法， 在原料中放置了一定比例的具有一定晶向的原料，并辅 助特定的堆料方式，通过精细化过程控制，达到多晶生 长过程中的晶格有序排列，提高了多晶硅晶体品质。

　　该项技术工艺可使抛光压力作用于各类表面的法线方 向，实现圆形平面，环形平面，圆锥面、大曲率变化面 等复杂异形面的快速抛光，同时在作业过程中实时监测 系统的抛光压力并自动调整，保证所有表面在同一抛光 压力下完成，表面形貌一致，损伤层去除均匀，实现优 良的表面完整性，进一步满足下游客户的需求。

　　通过温度控制技术，管理抛光液及抛光垫温度，控制抛 光片表面形貌变化。针对抛光液用量和循环时间的管 控，控制抛光定盘形状，通过抛光过程中载荷和转数的 匹配，使抛光过程中各个阶段的平坦度和去除量达到平 衡，从而达到有效控制平坦度的效果。

　　为了避免研磨工艺成本较高的弊端，公司开发了精密磨 削工艺，在磨削中能够精准的将表面粗糙度控制在 Ra0.2～Ra0.8区间内，平面度达到微米级别，在产品表 面加工中替代研磨工艺，可以大幅提升效率。加工后的 产品表面状态优良，能够为后续的表面处理打下良好基 础，进一步丰富了工艺，提高了效率，强化了定制开发 能力，满足客户的多样化需求。

　　精密硅部件需要通过特有的化学清洗工艺进行处理，方 能保证产品的纯净无污染。公司研发了洁净环境自动化 清洗线，全程历经十几道工艺段，辅以超纯水、超声 波、高压清洗等手段，对硅部件产品进行全方位精准清 洗，再经过无尘干燥包装技术，对硅部件产品进行隔离 防护，避免二次污染，满足客户对产品洁净程度的要 求。

　　通过流体控制技术，调整升温时间以及升温速率等多项 参数，在足够高的温度区间，使硅片表层区域内的COP 等原生点缺陷表面的自然氧化膜向外扩散，并使得硅原 子发生迁移从而补平该点缺陷，有效去除近表层区域的 晶体原生缺陷。同时，通过对氩气流量的控制，使硅片

　　在经过高温氩气退火工序后，表面雾化现象不易产生， 在硅片体内的中间部分增加BMD等析出物，增加了硅片 的强度使硅片不易发生翘曲，从而提升硅片品质。

　　通过在特殊配比的酸腐蚀混合溶液中添加两性离子表面 活性剂，改变硅片表面溶液的张力。腐蚀过程中通过特 定的多种机械复合运动使硅片在腐蚀溶液中均匀反应， 有效改善STIR(Site Total lndicator Reading)和TTV （Total Thickness Variation）指标。

　　通过增加硅部件在不同清洗槽内的多段位移运动，形成 硅部件产品清洗的新工艺。同时辅以联合开发的预清洗 机台、特殊比例药剂等工艺方法共同配合，完成对硅部 件内微小气孔及表面的彻底洗净，进一步减少颗粒度并 隔离金属离子，满足高端客户需求。

　　硅片加工过程中存在颗粒污染，这些颗粒通过化学吸附 和物理吸附留存在硅片表面造成污染。我司通过对清洗 液的配比优化，减少硅片表面微腐蚀，清洗表面颗粒， 并使用特种过滤技术使颗粒不会再吸附在硅片表面。使 用特种声波技术清洗去除硅片表面细小颗粒，辅以表面 氧化使硅片表面形成钝化保护层。通过静电去除技术避 免干燥后硅片表面造成二次颗粒吸附。

　　公司持续加强在“大直径多晶硅材料”以及“硅零部件”和“大尺寸半导体硅片”两大类产品的研发投入，报告期内取得的研发成果包括：

　　硅零部件完成品的表面改良优化取得阶段性进展。在硅零部件加工过程中，公司在硅零部件加工过程中，研发取得“硅部件精密刻蚀洗净技术”，能够提高硅零部件的洗净程度，并进一步减少颗粒度并隔离金属离子，提高了公司生产工艺，满足客户对产品的更高需求。公司“8英寸半导体级硅单晶抛光片生产项目”处于客户认证重要阶段，工艺实验围绕重点客户的特殊硅片工艺要求推进。“硅片表面颗粒清洗技术”目前已取得成效，对硅片表面的颗粒污染物指标的控制能力达到了预设目标，持续满足客户需求。

　　通过工艺开发和优化，硅片测试各类 平坦度指标加工能力均有明显提升， 达到既定目标，取得预期效果

　　通过工艺开发和优化，硅片测试各类 平坦度指标加工能力均有明显提升， 达到既定目标，取得预期效果

　　针对硅部件安装孔、螺纹孔等部位易 出现缺陷导致强度不足的问题，公司 自主开发了专用刀具及收尾技术，在 一个工步内完成特征加工及除崩边处 理，工艺稳定，效率提升，相关工艺 已完善并固化于《工艺规程》中

　　研发设备已投入使用，客户端产品成 功完成并送样，针对台阶及曲面抛光 中的恒压力控制工艺，不同抛光表 面，粗糙度保持高一致性。且在抛光 中无需采用各类粘贴方式，避免无有 机物带入的风险，小批量验证已完 成，完全满足高端客户终端使用需 求，正在终端客户处进行中试

　　公司本阶段通过热/流畅耦合的仿真模 型来拟合产品的实际沉积环境，为涂 层厚度分布的预判提供准确的设计依 据，数值模拟配合工装设计，达到优 化沉积腔内导气结构的目的，有效控 制异常长大颗粒，与设计目标一致

　　经过多年积累，公司形成了较强的技术、质量、客户、销售服务、细分行业方面的领先优势，具体如下：

　　自成立以来，公司一直专注于大直径硅材料及其应用产品的研发、生产与销售，突破并优化了多项关键技术，构建了较高的技术壁垒。公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术，在维持较高良率和参数一致性水平的基础上有效降低了单位生产成本。报告期内，公司在硅零部件加工过程中，研发取得“硅部件精密刻蚀洗净技术”，能够提高硅零部件的洗净程度，并进一步减少颗粒度并隔离金属离子，提高了公司生产工艺，满足客户对产品的更高需求。“硅片表面颗粒清洗技术”目前已取得成效，对硅片表面的颗粒污染物指标的控制能力达到了预设目标，持续满足客户需求。

　　目前公司已经建立符合国际标准的质量控制和品质保证体系，并严格按照ISO9001质量管理体系认证的相关标准，在产品设计开发、原材料采购、产品生产、出入库检验、销售服务等过程中严格实施标准化管理和控制，实施精益生产，使产品质量得到巩固和提升。公司持续通过艰苦的努力，规范和提高生产各个环节的标准化。

　　公司下游客户对合格供应商的认证程序十分严格，认证周期较长，认证程序复杂。凭借较高良品率和参数一致性水平、持续稳定的产品供应能力，公司在集成电路刻蚀用的大直径硅材料领域树立了良好的口碑，并与海外客户建立了稳固的商业合作伙伴关系。公司产品直接销售给日本、韩国等半导体强国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备原厂，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。公司硅零部件产品已经进入北方华创、中微公司等中国本土等离子刻蚀机制造厂商和长江存储、福建晋华等本土一流存储类集成电路制造厂商；半导体大尺寸硅片产品已经定期供货给日本某集成电路制造厂商。

　　公司建立了覆盖海内外的系统销售服务体系，持续完善覆盖日本、韩国客户的服务网络，并建立了兼具广度和深度的国内销售网络，覆盖了国内主流刻蚀机原厂以及行业主流集成电路制造厂商，能够提供及时可靠的售前和售后服务。

　　公司成立了由管理层负责的专业销售团队。通过定期及不定期拜访客户，能够快速、准确地理解客户的个性化需求，并及时获取行业技术发展动态及市场信息。公司在客户需求的响应速度、产品供货速度中欧体育app、持续服务能力等方面均表现良好，形成了销售服务优势。

　　目前，公司泉州、锦州两处硅零部件工厂均处于扩建阶段，扩建完成后，公司南北两处厂区的布局能够高效完成研发对接，快速响应下游国内等离子刻蚀机生产厂家以及集成电路制造厂商客户自主委托定制改进硅零部件的需求，更好地服务全国客户。

　　公司自成立以来一直专注于大直径硅材料及其应用产品的生产、研发及销售。凭借多年的积累和布局，公司在大直径硅材料领域继续保持领先地位，掌握了22英寸及以下尺寸晶体的所有技术工艺，能够大规模、高品质、高可靠、广覆盖地向全球下游厂商提供大直径硅材料产品，在全球细分领域处于领先地位。

　　2018年以来，公司顺应了等离子刻蚀机技术升级所带来的新需求，突破了大直径硅材料领域的诸多技术障碍，长期的品质一致性和成本优势为公司赢得了国际市场份额，并使下游客户对公司产生依赖。

　　近年来，公司在16英寸以上大直径硅材料领域的产能扩张较快，已经确保公司产能大于下游厂商的自有大直径硅材料产能，具有技术和规模双重优势。由于公司下游直接客户硅电极产品的主要应用场景在于终端客户集成电路制造厂商的12英寸生产线英寸晶圆制造越来越多地采用16英寸以上大直径硅材料产品所制成的硅零部件，因此公司具备独特的竞争优势。

　　在硅零部件领域，公司是国内极少数具备“从晶体生长到硅电极成品”完整制造能力的一体化厂商。公司硅零部件产品的上游原材料（大直径刻蚀用单晶硅材料）具备稳定性、一致性、便捷性及成本的优势；

　　报告期内，公司开发的各项技术，能够满足设备原厂不断提升的技术升级要求。在半导体大尺寸硅片领域，公司研发的氧化片、超平坦硅片、超高电阻硅片，评估认证工作取得一定进展，具备了向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。

　　(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

　　2023年上半年，全球半导体行业仍处于库存调整周期。由于全球经济受到地缘冲突、通货膨胀加剧的多重影响，企业成本上升，消费者信心受挫，个人电脑、电视、智能手机等主力电子消费产品出现销量下滑，库存消化缓慢。尽管以ChatGPT为代表的生成式人工智能应用呈现快速发展态势并带动下游高性能逻辑和存储芯片的研发、制造和投资，但从公开数据分析，其短期内仍不能抵消电子消费产品库存调整的负面影响。

　　展望2023年下半年，积体电路制造股份有限公司（TSMC）于2023年7月预测，晶圆代工业收入将下降14%-16%；三星电子于2023年7月预测，考虑到芯片行业减产力度加大，预计市场将逐渐走向稳定，而客户的库存调整可能会逐渐结束；SEMI 预测 2023 年全年全球半导体制造设备销售额将下滑至874亿美元，同比减少18.60%。

　　报告期内，公司作为深深植根于全球半导体产业链的细分市场领先企业，亦在稳健应对以上新形势下的机遇和挑战：一方面半导体市场仍处于库存调整周期，集成电路制造厂开工率不足，影响上游设备和材料市场；另一方面，下游终端市场出现新的结构性需求，先进制程的高性能逻辑芯片和存储芯片制造对硅材料及其制成品的物理化学性质提出了更严苛的要求。目前公司半导体大尺寸硅片项目仍处于50,000片/月产能的爬坡阶段，正片仍处于下游客户评估认证阶段，因此该项目产生效益暂时与新增固定资产和无形资产投资带来的折旧和摊销存在一定差距。以上因素在短期内对公司盈利能力造成了一定影响。

　　报告期内，公司实现营业收入 7,883.48 万元，较去年同期减少 70.02%；归属于上市公司股东的净利润-2,369.94万元，较去年同期减少126.13%。

　　公司高度重视对产品研发的投入和自身研发综合实力的提升，公司通过构建科学合理的研发根于分工严密的国际半导体供应链中，并在相关细分领域形成了一定的优势；随着中国本土硅材料及其制成品市场迅速扩张，公司聚焦高技术、高价值产品，在国产供应链细分市场中已经开始发挥独特作用。

　　报告期内，公司在硅零部件加工过程中，研发取得“硅部件精密刻蚀洗净技术”，能够提高硅零部件的洗净程度，并进一步减少颗粒度并隔离金属离子，提高了公司生产工艺，满足客户对产品的更高需求；“硅片表面颗粒清洗技术”目前已取得成效，对硅片表面的颗粒污染物指标的控制能力，达到了公司预设目标，持续满足客户需求。

　　大直径硅材料业务，公司将根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速，按计划扩充产能； 硅零部件业务，为保证未来客户批量订单的及时交付，公司正继续在泉州、锦州两地扩大生产规模，做好设备采购、安装调试等前期准备工作，确保年内可以实现较快速度的产能爬升； 半导体大尺寸硅片业务，当前公司硅片产能正在逐步爬坡，产品大多数的技术指标和良率已经达到或基本接近业内主流大厂的水准。公司目前继续提升生产工艺和良率稳定性，为满足未来正片评估通过后的批量订货需求做好准备。

　　大直径硅材料业务，公司根据下游市场需求不断优化单晶质产品的销售结构。在大直径多晶硅材料及其制成品已通过某海外客户评估并实现小批量供货；

　　硅零部件业务，公司的硅零部件产品已经进入长江存储、福建晋华等中国领先的本土存储类集成电路制造厂商供应链，集成电路制造厂商向公司发出的硅零部件定制改进需求，主要为技术难度较大、价值量较高的先进机台所需产品，尺寸大、加工工艺要求高。公司在数家12英寸集成电路制造厂商已有十余个料号获得评估认证通过结果。完成评估认证的产品，在集成电路制造厂商相应料号中所占据的采购份额持续提升。

　　公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于12英寸等离子刻蚀机，已有十余个料号通过认证并实现小批量供货，同时能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的认证应用范围，正在从研发机型扩展至某些成熟量产机型。

　　半导体大尺寸硅片业务，公司某款硅片已定期出货给某家日本客户，其各项指标已经满足了正片标准，证明公司的技术水平已经达到了国际水准。另外，公司8英寸测试片已经是国内数家集成电路制造厂商该材料的合格供应商，并在向客户提供技术难度较高的氧化片；8 英寸轻掺低缺陷超平坦硅片，某些技术指标难度远大于正片，正在某国际一流集成电路制造厂客户端评估中。

　　公司已经启动与下游集成电路制造厂商的正片评估对接，时间跨度将视下游客户的需求工艺复杂度及其评估验证排期而定。

　　报告期内，公司深化低缺陷路线下的高技术含量产品的研发及批量生产工作，如超平坦硅片、氩气退火片等。当前硅片产能正在逐步爬坡，产品大多数的技术指标和良率已经达到或基本接近业内主流大厂的水准。

　　目前，募投项目规划的年产180万片所需要的生产设备已经全部订购完成，其中一期50,000片/月的设备已达到规模化生产状态，二期订购的100,000片/月的设备陆续进场并开展安装和调试工作为批量生产做准备。募投资金与项目实施进度匹配。

　　市场信息显示，随着本轮半导体库存调整周期逐渐结束并再次进入景气周期，大直径硅材料的市场需求将继续增加。这一方面因为半导体市场的整体增长，另一方面是芯片制程对线宽的要求更加严苛且高深宽比刻蚀的应用增多，因此在单片硅片的刻蚀次数及相应的硅零部件消耗量正在增加，集成电路制造厂商的刻蚀设备采购金额占设备投资总额比例逐年上升。公司在16英寸以上大直径单晶硅材料以及超大直径多晶质产品的领先优势将有助于公司扩大市场份额。

　　公司将继续扩充产能、精研技术、提高管理水平，抓住时间窗口，迎接下一轮半导体上行周期不断扩大的下游需求。围绕“半导体材料国产化”的国家战略，公司拟以简易程序向特定对象发行股票募集资金投入“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”以进一步提升刻蚀用硅材料产品产能，巩固公司在全球范围内的竞争地位，满足公司战略发展的需要。公司将根据下游市场需求不断优化产品结构，进一步提升毛利率较高的16英寸及以上大直径产品占比，同时积极拓展刻蚀用多晶硅材料产品业务，进一步提高盈利能力。

　　报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项

　　大直径硅材料产品是公司收入的主要来源。单晶硅材料行业具有进入门槛高、细分行业市场参与者较少等典型特征。公司主要客户包括三菱材料、SK化学等境外企业，主要分布在日本、韩国等国家和地区，客户集中度较高，存在客户集中风险。如公司下游主要客户的经营状况或业务结构发生重大变化并在未来减少对公司产品的采购，或出现主要客户流失的情形，公司经营业绩存在下滑的风险。

　　公司生产用原材料主要为高纯度多晶硅、高纯度石英坩埚和石墨件等，其中高纯度多晶硅的终端供应商为瓦克化学，高纯度石英坩埚的主要供应商为SUMCO JSQ，公司高纯度多晶硅和高纯度石英坩埚的采购渠道较为单一，采购集中度较高。如果公司主要供应商交付能力下降，公司原材料供应的稳定性、及时性和价格均可能发生不利变化，从而对公司的生产经营产生不利影响。

　　公司生产用主要原材料为高纯度多晶硅、高纯度石英坩埚和石墨件等，原材料成本占公司主营业务成本的比重较高，主要原材料价格的变化直接影响公司的利润水平。如果未来原材料价格大幅度上涨，且公司主要产品销售价格不能同步上调，将对公司的盈利能力产生不利影响。

　　同时公司采购的多晶硅原材料纯度通常为8个9以上，公司生产并销售的集成电路刻蚀用单晶硅材料产品纯度主要为10个9以上。纯度是公司产品的重要参数指标之一，从纯度参数看公司产品与原材料的纯度差异较小，约为1-2个数量级；如果公司采购的原材料质量不稳定，可能对公司产品品质产生一定不利影响。

　　公司的大直径硅材料产品主要向下游集成电路刻蚀用零部件制造商销售。此类制造商对公司产品进行精密机械加工形成硅零部件产品，最终销售给等离子刻蚀机制造商或直接向集成电路制造厂商销售。

　　部分规模较大的硅零部件生产商除具备机械加工能力外，仍自行保有一定规模的大直径单晶硅材料生产能力。在行业上升周期，主要客户对单晶硅材料的增量需求主要通过外购满足，而在行业下行周期，主要客户因具备一定的大直径单晶硅材料生产能力，外购单晶硅材料的规模可能下降。因此，公司作为行业内主要的大直径单晶硅材料生产企业，在行业下行周期中可能面临较高的业务波动风险。

　　同时，报告期内公司产品主要向日本、韩国等国销售，世界贸易摩擦对行业及公司业务带来较大的不利影响，使公司向上述国家客户的销售收入减少，进而导致公司大直径硅材料产品利润下滑。同时公司下游客户采购计划的调整相比行业景气度恢复具有一定的滞后性，且半导体行业属于周期性行业，行业整体需求受全球地缘冲突等影响仍存在不确定性。

　　公司硅零部件和半导体大尺寸硅片产品，面向半导体等离子刻蚀机设备厂商和集成电路制造商销售。考虑到半导体行业景气度通过影响存量芯片生产线的产能利用率以及芯片生产线的新增投资水平，最终影响等离子刻蚀机硅零部件产品和半导体大尺寸硅片市场需求，因此公司以上两种新产品的销售前景与半导体行业景气度相关，在行业下行周期中同样可能面临一定的业务波动风险。

　　公司大直径硅材料产品的现有客户包括三菱材料、SK化学、CoorsTek、Hana等半导体材料行业企业；硅零部件产品下游客户为国内等离子刻蚀机制造厂商和国内集成电路制造厂商，前者如北方华创、中微公司，后者如长江存储、福建晋华等公司；半导体8英寸轻掺低缺陷抛光硅片的目标客户群体为国内外集成电路制造商，主要包括积体电路制造股份有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司等企业。因此，公司大直径硅材料产品既有客户与硅零部件产品、半导体大尺寸硅片产品的目标客户并不重叠，公司拓展下游客户存在一定难度和不确定性；同时半导体 8英寸轻掺低缺陷抛光硅片所在细分市场的市场集中度较高，新进入者面临的市场竞争较为激烈，公司募投项目实施存在市场竞争风险。如果公司不能成功开发半导体8英寸轻掺低缺陷抛光硅片或开发进度不及预期，则可能拉长前期技术投入的回报期或无法有效应对市场竞争，将会对公司未来经营业绩产生不利影响。

　　半导体行业属于周期性行业，行业增速与科技发展、全球经济形势高度相关。此外，半导体行业的周期性还受技术升级、市场结构变化、应用领域升级、自身库存变化等因素的影响。近年来，半导体行业研发周期不断缩短，新技术、新工艺的不断应用导致半导体产品的生命周期不断缩短，对公司的技术优势产生影响。

　　2023年，中美贸易摩擦仍然存在，全球性公共安全危机仍在对半导体产业链生产端造成负面影响，加之全球地缘军事冲突爆发等因素推高全球通胀水平，消费者信心受挫导致下游终端需求萎缩，全球半导体行业目前处于库存调整期，景气度下滑。未来若中美贸易摩擦进一步升级、半导体产业景气度下滑加剧影响扩大，公司的生产运营可能受到影响。

　　全球范围内主要等离子刻蚀机生产厂商和刻蚀用硅电极制造厂商位于日本、韩国和美国，公司大直径硅材料产品亦主要出口上述国家，公司海外销售比例较高。如未来相关国家在贸易政策、关税等方面对我国设置壁垒或汇率发生不利变化，且公司不能采取有效措施降低成本、提升产品竞争力，将导致公司产品失去竞争优势，从而对公司经营业绩产生不利影响。

　　公司首发募投项目“8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”由于部分地域交通受阻，设备采购、装机调试、物流运输等多重事项均受到一定程度滞后影响，达到预定可使用状态时间因此调整至 2024 年 2 月；公司本次募集资金投资项目“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”涉及项目的前期准备、土建及机电工程、设备采购、设备安装调试等环节。前述募集资金投资项目在实施过程中可能受到工程施工进度、工程管理、设备采购、设备调试及人员配置等因素的影响，项目实施进度存在一定的不确定性，募集资金投资项目存在不能按期竣工投产的风险。

　　根据公司募集资金使用计划，募集资金投资项目建成后，公司资产规模将大幅增加，从而导致公司年折旧及摊销成本费用增加。若募集资金投资项目不能较快产生效益以弥补新增固定资产和无形资产投资带来的折旧和摊销，将在一定程度上影响公司净利润和净资产收益率水平。

　　报告期内公司实现营业收入7,883.48万元，比去年同期减少70.02%；归属于上市公司股东的净利润-2,369.94万元，较上年同期减少126.13%。